1200℃光学薄膜CVD气相沉积设备是一种用于制备高性能固体材料薄膜的技术。其核心原理是：将含有构成薄膜元素的一种或几种气态反应物通入反应室，在基片（如硅片）表面发生化学反应，并生成固态薄膜沉积下来。

迷你石墨烯CVD气相沉积设备专为石墨烯生产设计配有高精度质量流量计以及薄膜真空规。迷你石墨烯CVD设备同时设备配有可燃气体检测装置，联动出气口电磁阀，一旦出现泄漏电磁阀即可自行关闭保证**。

1200℃高真空迷你CVD气相沉积设备核心是一款迷你管式炉，采用电阻丝加热。1200℃高真空迷你CVD设备包含一台三路浮子流量计，一台分子泵组，分别构成了CVD的进气和出气部分

晶圆级PECVD气相沉积设备大尺寸二硫化钼制备CVD设备包括三温区管式炉，特殊设计的炉管及配套气路一组，晶圆级大尺寸二硫化钼制备CVD设备通过特殊设计的管路，能够将反应气体均匀的释放于炉管。

R-PECVD​等离子增强CVD气相沉积设备由旋转及倾斜机构、单温区管式炉、等离子发生机构、质量流量计供气系统、高真空分子泵组部分构成。R-PECVD真空旋转等离子增强CVD设备利用旋转和倾斜机构实现连续生产，并且可以使颗粒型样品表面均匀生长产物。

三温区PECVD气相沉积石墨烯制备由等离子发生器，三温区管式炉、射频电源、真空系统组成。等离子增强CVD系统为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）。