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在芯片制造的微观世界里,化学气相沉积(CVD)设备堪称一位精准的"镀膜魔法师"——通过气相化学反应,在硅片表面生长出仅有几纳米厚的功能薄膜。这项诞生于实验室的技术,如今已成为半导体、光伏乃至LED产业的核心支柱。现代CVD设备已发展出多元技术路线:等离子体增强CVD(PECVD)利用射频能量激发反应气体,在低温下实现高质量薄膜沉积,特别适用于柔性电子和先进封装;低压CVD(LPCVD)则在接近真空...
四电弧提拉法单晶生长炉是一款采用4电弧的提拉法单晶生长炉(采用Ar气电弧对样品熔融,提拉装置提拉),其温度可达3000℃。腔体为304不锈钢腔体(带有水冷夹层),真空度可达10-5Torr。此款单晶炉特别适合生长高熔点的单晶,如Ti单晶,YSZ,SiC和CeRh2Si等等。四电弧提拉法单晶生长炉是一种用于生长高熔点、化学性质活泼金属间化合物单晶的设备,特别适合制备含有稀土或铀元素的材料。其核心原理是通过四个对称电极放电产生高温熔化原料,再通过精密提拉系统控制晶体生长。液压系...
大尺寸自动流延涂覆机加热温度可达100℃,采用真空吸附来固定衬底,使得涂敷过程中衬底不会起褶皱,从而使得涂敷更加顺畅。自动流延涂覆机中配有一精密的可调制膜器,移动推杆以恒定的速度推动其匀速移动,从而达到浆料涂覆在基底上的均匀性。加热真空床:加热真空床由铝合金制成,带有微型孔真空吸盘尺寸:600mm(长)×300mm(宽)×22mm(高)加热元件内置在真空床内,可均匀加热至100ºC*大值精密数字温度控制器,精度为+/-1℃刮膜器:包括一个250mm宽的千分尺可调式涂膜器,厚度...
粉末涂覆法制备CIGS薄膜的详细工艺流程第一步:前驱体粉末制备这是整个工艺的基础。通常有两种路径:直接使用商业购买的Cu、In、Ga、Se的单质或合金粉末。这些粉末需要具有高纯度(通常99.99%)和合适的粒径(通常在微米级或亚微米级)。自行合成CIGS前驱体粉末:通过共沉淀法、球磨合金化法等方法,预先合成出具有特定化学计量比的(CuInGa)Se₂粉末。这种方法可以更好地控制最终薄膜的组分均匀性。第二步:浆料配制这是最关键的技术环节之一。将前驱体粉末与特定的溶剂和添加剂混合...
传统匀胶机通常只有一个固定的滴胶头或静态喷头,通过中心滴胶或静态喷洒的方式将光刻胶覆盖在基片上,然后通过高速旋转产生的离心力使胶体铺展均匀。四喷头超声波匀胶机则是一种革命性的设计。它集成了以下核心部件:四个独立的超声波压电喷头:这是其名称的由来。每个喷头都是一个独立的、精密的液体分配单元。高精度机械臂:这四个喷头被安装在一个多自由度的机械臂上,可以精确控制喷头在基片上方进行复杂的三维运动。超声波雾化技术:利用高频超声波振动将液体“撕裂”成极其微小且均匀的雾状液滴(通常直径在微...
1.SPS技术简介放电等离子烧结是一种先进的粉末快速固结技术。它通过将脉冲直流电直接通过石墨模具和粉末颗粒,实现内部加热和烧结。与传统热压(HP)或热等静压(HIP)相比,SPS具有以下独特之处:快速升温和冷却:加热速率可达几百摄氏度每分钟,能极大缩短工艺周期。放电效应:在粉末颗粒之间产生的瞬时脉冲放电,可以活化颗粒表面,清除氧化物污染,促进物质迁移和扩散。压力辅助:在整个烧结过程中施加轴向压力,有助于粉末致密化。这些特点使得SPS非常适合制备细晶、高性能的金属材料,包括对氧...
电阻熔炼炉主要由电弧熔炼真空室、电弧枪、电弧熔炼电源、五工位水冷铜坩埚、翻转机械手、工作气路、系统抽气、真空测量及电气控制系统、安装机台等各部分组成。本产品主要由电弧熔炼真空室、上电极、下电极及炉门开启机构、上电极电动升降机构,真空系统及电弧电源系统等组成。电弧熔炼真空室:采用双层水冷结构,内外层为不锈钢组焊接而成,并做表面哑光处理,内壁精密抛光处理。炉体上设有翻转机械手,用于样品的熔炼翻转。设有观察窗,真空接口,充放气阀等,炉盖上设有上电极接口,结构新颖外形美观大方。上电极...
放电等离子烧结炉是一种利用电磁场产生的等离子体能量对材料进行加热和烧结的设备。该设备采用高频放电技术,将气体转化为等离子体,在等离子体中产生高能电子,使材料表面和内部发生剧烈碰撞,从而实现快速加热和烧结。放电等离子烧结炉广泛应用于材料加工、表面涂层和新材料研发等领域,其特点包括加热速度快、温度均匀、能耗低、污染少等。设备准备与参数设置:模具与样品装填:使用石墨模具(耐温≥1600℃),确保粉体均匀填充且密度适中,避免局部堆积导致烧结不均。模具内径需匹配样品尺寸,通常预留...
热蒸发镀膜仪是一种在真空环境中通过高温加热材料使其气化,并在基底表面沉积形成薄膜的工艺试验仪器,广泛应用于新能源、半导体、光学、生物医学及日常工业领域。其核心原理是通过电阻加热、电子束轰击或感应加热等方式,使固态材料(如金属、介电质或有机物)在真空腔体内达到蒸发温度(通常200℃-3000℃),气态粒子通过气流输运至基底表面,经冷却凝结形成均匀薄膜。设备真空度要求严格,一般需低于10⁻⁴Pa,以防止材料氧化并减少气态粒子与残余气体的碰撞,确保薄膜纯度。热蒸发镀膜仪的技术特点介...
电阻蒸发镀膜仪是一种基于电阻加热原理,在真空环境中实现金属或合金材料蒸发沉积的精密设备,广泛应用于科研与工业领域,为材料表面赋予导电、隔热、耐磨、装饰等多样化功能。其该设备通过大电流通过钨、钼等高熔点金属蒸发源(如船型蒸发舟),利用电阻焦耳热效应使蒸发源内金属材料熔融汽化。汽化后的原子在真空腔体(真空度通常达10⁻³~10⁻⁶Pa)中沿直线运动,遇冷基材后凝结形成致密薄膜。例如,在钙钛矿太阳能电池制造中,可在120mm见方基片上沉积均匀铝电极,膜厚均匀度控制在±...
半导体镀膜磁控溅射仪是半导体制造与材料科学领域的关键设备,其通过物理气相沉积技术,在基体表面形成均匀、致密的高性能薄膜,广泛应用于芯片制造、光学器件、新能源电池等前沿领域。其利用磁场约束等离子体,通过异常辉光放电产生高能氩离子(Ar⁺),轰击靶材表面使其原子或分子溅射,并在基片上沉积形成薄膜。其技术核心在于磁场与电场的协同作用:电子在E×B漂移效应下沿螺旋轨迹运动,显著延长了与氩气的碰撞路径,使等离子体密度提升10倍以上,从而大幅提高溅射效率。半导体镀膜磁控溅射仪的主要特点包...
真空磁控溅射镀膜机是基于“磁控溅射技术”的高d薄膜制备设备,通过在真空环境中利用磁场束缚电子、加速离子轰击靶材,使靶材原子/分子脱离并沉积在基材表面,形成均匀、致密的功能薄膜,广泛应用于电子、光学、装饰、新能源等领域,是现代工业薄膜制备的核心装备之一。其核心工作原理围绕“真空+磁控”展开:设备先通过真空泵组将镀膜腔抽至10⁻³-10⁻⁵Pa的高真空环境,排除空气杂质对膜层的影响;随后向腔体内通入氩气等惰性气体,在磁控靶(镀膜材料,如金属、陶瓷、合金等)与基材之间施加高压,使惰...
磁控溅射镀膜仪是一种基于物理气相沉积(PVD)技术的高精度表面镀膜设备,通过磁场约束等离子体实现高效、均匀的薄膜制备,广泛应用于电子、光学、机械加工及新能源等领域。其设备在真空环境中施加正交电磁场,电子在电场作用下与氩原子碰撞产生电离,生成氩离子和二次电子。氩离子在电场加速下轰击固态靶材,溅射出中性靶原子或分子,沉积在基片表面形成薄膜。二次电子受磁场约束(E×B漂移效应)在靶表面做圆周运动,延长运动路径并提高电离效率,从而实现高沉积速率。同时,电子能量在多次碰撞后逐渐耗尽,最...
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