三温区PECVD气相沉积石墨烯制备由等离子发生器，三温区管式炉、射频电源、真空系统组成。等离子增强CVD系统为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）。

详情介绍：

三温区PECVD气相沉积石墨烯制备由等离子发生器，三温区管式炉、射频电源、真空系统组成。等离子增强CVD系统为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）， 该PECVD石墨烯薄膜制备设备借助13.56Mhz的射频输出等使含有薄膜组成原子的气体电离，在真空腔体内形成等离子体，利用等离子的强化学活性，改善反应条件，利用等离子体的活性来促进反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。

在聚合物、陶瓷等基体材料中加入石墨烯可以显著提高材料的机械性能、热性能等。三温区 PECVD 制备的石墨烯可以更好地控制其在基体材料中的分散性和界面结合强度。例如，在环氧树脂复合材料中，将 PECVD 制备的石墨烯均匀分散后，石墨烯与环氧树脂之间能够形成良好的界面相互作用，从而提高复合材料的拉伸强度、硬度和热稳定性，这种复合材料可用于航空航天、汽车制造等领域，用于制造高性能的结构部件。

三温区PECVD应用范围：

等离子增强CVD系统可以用于：石墨烯制备、硫化物制备、纳米材料制备等多种试验场所。可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜，并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好的均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。广泛应用于刀具、高精模具、硬质涂层、高duan装饰等领域

 三温区PECVD技术参数: