这是整个工艺的基础。通常有两种路径:
直接使用商业购买的Cu、In、Ga、Se的单质或合金粉末。这些粉末需要具有高纯度(通常>99.99%)和合适的粒径(通常在微米级或亚微米级)。
自行合成CIGS前驱体粉末:通过共沉淀法、球磨合金化法等方法,预先合成出具有特定化学计量比的(CuInGa)Se₂粉末。这种方法可以更好地控制最终薄膜的组分均匀性。
这是最关键的技术环节之一。将前驱体粉末与特定的溶剂和添加剂混合,研磨成稳定、均匀、适合涂覆的浆料。
溶剂:常用的溶剂包括:
去离子水:成本zui低,zui环保。
有机溶剂:如乙醇、异丙醇等,挥发速度快,易于干燥。
粘结剂:添加少量(如1-5 wt%)的有机或无机粘结剂(如乙基纤维素、丙烯酸树脂等),以增加浆料的粘附性,防止干燥后的薄膜从基底上脱落或开裂。
分散剂:添加分散剂(如鱼油、蓖麻油等)以防止粉末颗粒在浆料中团聚,确保成分均匀。
流平剂:改善涂覆后的膜层表面平整度。
过程:将以上组分按一定比例混合后,放入球磨机或行星球磨机中进行数小时至数十小时的研磨,直至得到高度均匀、稳定的浆料。
基底选择:zui常用的基底是覆盖有钼(Mo)背电极的钠钙玻璃。Mo层通常通过磁控溅射制备,作为CIGS薄膜的背接触和电极。
基底清洁:使用丙酮、乙醇、去离子水等在超声波清洗机中依次清洗基底,去除表面污染物、油脂和颗粒,以确保浆料良好的润湿性和附着力。
将配制好的浆料通过特定的涂覆技术沉积到Mo基底上。常用的方法有:
丝网印刷:zui常用的方法。通过丝网版将浆料刮印到基底上,可以精确控制薄膜的图案和厚度。
刮刀涂布:设备简单,适合大面积、连续的涂覆。
喷墨打印:一种无接触、数字化技术,可以实现精细图案,但效率和浆料要求较高。
涂覆后形成的是一层湿润的、含有大量有机物的前驱体薄膜。
干燥:在相对较低的温度下(如100-200°C),将涂覆后的样品置于热板或烘箱中,使浆料中的溶剂缓慢挥发。此过程需要控制升温速率,以避免薄膜因快速干燥而产生裂纹或“起皮"。
预烧/排胶:在惰性气氛(如氮气、氩气)或还原性气氛(如氮氢混合气)中,将温度升至约300-400°C,使浆料中的有机粘结剂、分散剂等添加剂热分解并wan全挥发去除。这一步至关重要,如果有机物残留,会严重影响后续的硒化质量和最终器件的性能。
这是整个工艺中最核心的步骤,目的是使前驱体薄膜发生化学反应和晶粒生长,形成具有黄铜矿结构的、结晶良好的CIGS吸收层。
硒化环境:将经过预烧的样品置于含有硒(Se)蒸气的气氛中进行热处理。
硒源:
固态硒源:将样品与单质硒粉末一同放入密闭的石英管中,抽真空后密封或持续通入惰性气体,然后加热。
气态硒源:如H₂Se气体,但该气体剧毒,对设备和安全要求ji高,现已较少使用。
硒蒸气:在管式炉中,使用蒸发源单独加热单质硒,产生硒蒸气,并用惰性气体(如N₂)作为载气将其输送到样品表面。
热处理制度:
升温:以一定的速率升温至硒化温度,通常在500°C - 600°C 之间。
保温:在硒化温度下保温一段时间(通常10-60分钟),使元素充分扩散、反应和晶粒长大。
冷却:反应结束后,随炉冷却或控制冷却速率至室温。
在此过程中,前驱体中的Cu、In、Ga与Se蒸气反应,生成具有光电活性的CIGS晶体。精确控制硒化温度、时间和硒分压是获得高性能CIGS薄膜的关键。
经过硒化后,就得到了CIGS吸收层。随后需要按照标准CIGS太阳能电池的工艺完成整个器件的制备:
缓冲层沉积:通常通过化学水浴沉积(CBD)一层薄的CdS(约50nm)或使用无镉替代物(如ZnS、In₂S₃)。
窗口层沉积:通过溅射或金属有机化学气相沉积(MOCVD)等方法沉积本征ZnO(i-ZnO)和掺铝氧化锌(AZO)作为透明导电窗口层。
电极制备:通过热蒸发或溅射在AZO上制作Ni/Al集电极栅线。
划片与封装:将大面积电池片分割成单个电池,并进行层压封装,形成完整的太阳能电池模块。
优势:
低成本:设备投资和运行成本远低于真空蒸发法。
高材料利用率:浆料涂覆法材料利用率可超过90%。
易于大面积化:丝网印刷等技术非常适合大规模、大面积生产。
组分灵活:易于通过调整浆料配方来精确控制薄膜的化学计量比。
挑战:
有机物残留:预烧过程若控制不当,有机物残留会形成碳杂质,导致器件串联电阻增大、性能下降。
薄膜致密性:与真空法相比,粉末法制备的薄膜可能更易产生孔隙,影响器件的稳定性和效率。
晶粒尺寸与质量:通常晶粒尺寸小于真空法,晶界较多,可能导致复合增加。
重现性:浆料的均匀性、涂覆工艺的稳定性对批次间的重现性要求很高。
粉末涂覆法是一种ji具潜力的低成本CIGS薄膜制备技术。其工艺流程清晰,核心在于浆料的均匀性、干燥预烧过程中的缺陷控制以及硒化过程中的结晶质量优化。尽管目前其转换效率通常略低于顶尖的真空蒸发法,但由于其在成本控制和大规模生产方面的巨大优势,它仍然是CIGS光伏技术产业化的重要方向之一
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