1200℃双温区CVD化学气相沉积设备是一种用于制备高性能固体材料薄膜的技术。其核心原理是：将含有构成薄膜元素的一种或几种气态反应物通入反应室，在基片（如硅片）表面发生化学反应，并生成固态薄膜沉积下来。

1200℃低真空旋转CVD气相沉积系统是一种用于制备高性能固体材料薄膜的技术。其核心原理是：将含有构成薄膜元素的一种或几种气态反应物通入反应室，在基片（如硅片）表面发生化学反应，并生成固态薄膜沉积下来。

1200℃金刚石膜CVD气相沉积系统 是一种用于制备高性能固体材料薄膜的技术。其核心原理是：将含有构成薄膜元素的一种或几种气态反应物通入反应室，在基片（如硅片）表面发生化学反应，并生成固态薄膜沉积下来。

1200℃石墨烯CVD气相沉积系统是一种用于制备高性能固体材料薄膜的技术。其核心原理是：将含有构成薄膜元素的一种或几种气态反应物通入反应室，在基片（如硅片）表面发生化学反应，并生成固态薄膜沉积下来。

1500℃碳纳米管CVD气相沉积系统由1500℃单温区管式炉、三路质量流量计和双极旋片真空泵组成。管式炉由精密控温仪表进行PID控温，可编辑30段升降温程序，同时有过热和断偶保护功能。1500℃单温区3路质量供气低真空CVD系统炉管两侧法兰配有数字式真空计和机械式压力表，可以用来控制炉管内的气氛环境。

1500℃半导体薄膜CVD气相沉积系统由1500℃单温区管式炉、三路浮子流量计和双极旋片真空泵组成。管式炉由精密控温仪表进行PID控温，可编辑30段升降温程序，同时有过热和断偶保护功能。1500℃单温区3路浮子供气低真空CVD系统炉管两侧法兰配有数字式真空计和机械式压力表，可以用来控制炉管内的气氛环境。