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R-PECVD​等离子增强CVD气相沉积设备
简要描述:

R-PECVD​等离子增强CVD气相沉积设备由旋转及倾斜机构、单温区管式炉、等离子发生机构、质量流量计供气系统、高真空分子泵组部分构成。R-PECVD真空旋转等离子增强CVD设备利用旋转和倾斜机构实现连续生产,并且可以使颗粒型样品表面均匀生长产物。

  • 产品型号:CY-OTF-1200X-I-PEC4
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2025-09-06
  • 访  问  量:64

详细介绍

品牌CYKY

R-PECVD等离子增强CVD气相沉积设备1200℃单温区 4路MFC)设备由旋转及倾斜机构、单温区管式炉、等离子发生机构、质量流量计供气系统、高真空分子泵组等部分构成。  

R-PECVD等离子增强CVD气相沉积设备特点:  

1.  相比于其他的石墨烯制备设备,能提供更高的基底真空,提高产物质量;
 2. 能够利用旋转和倾斜机构实现连续生产,使颗粒型样品表面均匀生长产物;
 3. 等离子发生装置能够显著降低反应温度,提高反应效率。

PECVD等离子增强CVD气相沉积设备技术参数:  

单温区管式炉  

产品型号  

CY-OTF-1200X-I-PEC4  

炉管材质  

高纯石英  

炉管直径  

100mm  

炉管长度  

1500mm  

炉膛长度  

440mm  

加热区长  

400mm  

恒温区长  

200mm  

工作温度  

0~1100℃  

控温精度  

±1℃  

控温模式  

30段或50段程序控温  

显示模式  

高清全彩LCD触控屏  

密封方式  

304不锈钢真空法兰  

供电电源  

AC:220V 50/60Hz  

RF输出系统  

功率范围  

0~500W可调  

工作频率  

13.56MHz+0.005%  

工作模式  

连续输出  

匹配阻抗模式  

能够匹配,起辉均匀布满炉管  

功率稳定度  

≤2W  

正常工作反射功率  

≤3W  

放大反射功率  

≤70W  

谐波分量  

≤-50dBc  

整机效率  

≥70%  

功率因素  

≥90%  

供电电压/频率  

单相交流(187V~153V) 频率50/60Hz  

控制模式  

内控/PLC 模拟量/RS232/485通讯  

电源保护设置  

DC过流保护,功放过温保护,反射功率保护  

冷却方式  

强制风冷  

起辉长度  

在Ar下射频电源与线圈配合起辉辉光能布满炉管  

供气系统  

流量计  

四路质子流量计  

流量范围  

MFC1量程:0~200sccm  MFC2量程:0~200sccm  

MFC3量程:0~500sccm  MFC4量程:0~500sccm  

分别对应气体H2、 CH4、 N2、 Ar.  

测量精度  

±1.5%F.S  

重复精度  

±0.2%FS  

线性精度  

±1%F.S.  

响应时间  

≤4s  

工作压力  

-0.15Mpa~0.15Mpa  

流量控制  

液晶触摸屏控制,数字显示,每路气体含有针阀单独控制  

进气接口  

可接1/4NPS或者外径6mm不锈钢管  

出气接口  

可接1/4NPS或者外径6mm不锈钢管  

连接方式  

双卡套接头  

工作温度  

5~45℃  

气体预混  

配气体预混装置  

排气系统  

 

产品型号  

CY-GZK103-A  

分子泵  

涡轮分子泵  

前级泵  

双级旋片泵  

抽气速率  

分子泵:600L/S  

综合抽气性能:30分钟真空度可达:5×10E-3Pa  

旋片泵:1.1L/S  

极限真空  

5×10E-4Pa  

抽气接口  

KF40  

排气接口  

KF16  

真空测量  

复合真空计  

旋转及倾斜装置  

转速范围  

0-20rpm  

倾斜角度  

0-15°  

进出料  

自动进料,倾斜后可自动集料  

 

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