派瑞林真空气相沉积是一种专业的产品，用于在材料表面上制备薄膜。它采用了在真空环境中使用气相化学反应来沉积薄膜的过程。这种技术可以广泛应用于各种行业，包括电子、光学、纳米科技等领域

1200℃三温区高真空CVD气相沉积系统是一种用于制备高性能固体材料薄膜的技术。其核心原理是：将含有构成薄膜元素的一种或几种气态反应物通入反应室，在基片（如硅片）表面发生化学反应，并生成固态薄膜沉积下来。

1500℃单温区3路浮子供气高真空CVD气相沉积由1500℃单温区管式炉、三路浮子流量计和高真空分子泵组组成。管式炉由精密控温仪表进行PID控温，可编辑30段升降温程序，同时有过热和断偶保护功能。1500℃单温区高真空CVD系统炉管两侧法兰配有数字式真空计和机械式压力表，可以用来控制炉管内的气氛环境。

全自动CVD滑轨炉气相沉积系统由双温区滑轨炉、质子流量控制系统、真空系统三部分组成。双温区滑轨炉可移动并可实现快速升降温；四路质子流量计能够准确控制系统的供气；全自动CVD滑轨炉真空泵可实现对管式炉快速抽真空。

1200℃三温区三通道混气CVD气相沉积系统是一种用于制备高性能固体材料薄膜的技术。其核心原理是：将含有构成薄膜元素的一种或几种气态反应物通入反应室，在基片（如硅片）表面发生化学反应，并生成固态薄膜沉积下来。

1200℃三温区旋转CVD气相沉积系统安装有投料器和收料罐。1200℃三温区旋转自动进出料CVD系统投料器可以以额定速率将粉料送入炉管，可实现在气氛保护的环境下连续对粉末材料用CVD方法进行包裹和修饰。收料罐可以在气氛保护环境下对处理好的料粉进行收集。