1200℃三温区三通道混气CVD气相沉积系统是一种用于制备高性能固体材料薄膜的技术。其核心原理是：将含有构成薄膜元素的一种或几种气态反应物通入反应室，在基片（如硅片）表面发生化学反应，并生成固态薄膜沉积下来。

1200℃三温区三通道混气CVD气相沉积系统由三温区管式炉和三路浮子流量计组成。管式炉三个温区分别由精密控温仪表独立控温，通过调节各个温区的温度，该管式炉可以在加热区内形成三段温度梯度或是形成较长的恒温区域。1200℃三温区三通道混气CVD系统每个温区均可编辑30段升降温程序，同时有过热和断偶保护功能。炉管两侧法兰配有数字式真空计和机械式压力表，可以用来控制路管内的气氛环境。

1200℃三温区三通道混气CVD气相沉积系统采用全彩高清触控屏操作，简单易上手，即使是非专业人员经过简单的培训也可以熟练掌握仪器的使用方法，能够极大的提高您的实验效率。系统所配有的三路浮子流量计，可以较为准确的配制出实验所需的混合气体；另有一压力表安装在浮子流量计正面，可以监测气体压力及混合槽压力。  

适用于高校、科研院所、工矿企业做高温烧结、金属退火、质量检测等，尤其适合需要多种气体混合的气氛环境的CVD实验。
  

1200℃三温区三通道混气CVD系统技术参数：  

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