两通道CVD气相沉积系统带水冷法兰双路流量计并配有双极旋片泵、水冷机、数字真空计且该CVD系统可抽真空、通气氛用于各种CVD实验。

1200℃三通道CVD气相沉积系统主要由：材料加热、真空获取、气体测量和等离子发生器四大部分构成。可以满足日常的大多数CVD实验和各种科研要求。该CVD系统是材料制备过程中的理想之选。

三温区1600 CVD气相沉积系统主要用于真空烧结、气氛保护性烧结、真空镀膜 各种材料煅烧、需要温度梯度的各种CVD实验

1200℃单温区高真空CVD气相沉积系统是一种用于制备高性能固体材料薄膜的技术。其核心原理是：将含有构成薄膜元素的一种或几种气态反应物通入反应室，在基片（如硅片）表面发生化学反应，并生成固态薄膜沉积下来。

1200℃高真空CVD气相沉积系统 是一种用于制备高性能固体材料薄膜的技术。其核心原理是：将含有构成薄膜元素的一种或几种气态反应物通入反应室，在基片（如硅片）表面发生化学反应，并生成固态薄膜沉积下来。

1200℃双温区高真空CVD气相沉积系统 是一种用于制备高性能固体材料薄膜的技术。其核心原理是：将含有构成薄膜元素的一种或几种气态反应物通入反应室，在基片（如硅片）表面发生化学反应，并生成固态薄膜沉积下来。