1200℃三温区高真空CVD气相沉积系统是一种用于制备高性能固体材料薄膜的技术。其核心原理是：将含有构成薄膜元素的一种或几种气态反应物通入反应室，在基片（如硅片）表面发生化学反应，并生成固态薄膜沉积下来。

1200℃双温区真空CVD气相沉积系统是一种用于制备高性能固体材料薄膜的技术。其核心原理是：将含有构成薄膜元素的一种或几种气态反应物通入反应室，在基片（如硅片）表面发生化学反应，并生成固态薄膜沉积下来。

ALD原子层沉积系统系统是一种用于在基板表面沉积超薄膜的精密设备，具有原子级别的厚度控制能力。ALD系统通常用于半导体制造、纳米技术、光电器件、以及其他高科技领域

双温区CVD气相沉积系统由1200℃双温区管式炉、双通道质量流量计和低噪音双极旋片真空泵组成。双温区CVD系统管式炉的两个温区分别由精密控温仪表独立控温，通过调节各个温区的温度，该管式炉可以在加热区内形成两段温度梯度或是形成较长的恒温区域。

1200℃双温区真空CVD气相沉积系统由双温区管式炉、三路浮子流量计和双极旋片真空泵组成。管式炉两个温区分别由精密控温仪表独立控温，通过调节各个温区的温度，该管式炉可以在加热区内形成两段温度梯度或是形成较长的恒温区域。每个温区均可编辑30段升降温程序，同时有过热和断偶保护功能。1200℃双温区3路浮子供气低真空CVD系统炉管两侧法兰配有数字式真空计和机械式压力表，可以用来控制炉管内的气氛环境。

1200℃三温区低真空CVD气相沉积系统是一种用于制备高性能固体材料薄膜的技术。其核心原理是：将含有构成薄膜元素的一种或几种气态反应物通入反应室，在基片（如硅片）表面发生化学反应，并生成固态薄膜沉积下来。