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CVD（化学气相沉积）气相沉积系统是一种常用的薄膜制备技术，通过在高温下将气体反应物质与基底表面反应，形成薄膜。
1. 反应室温度：通常在几百到千度之间，具体取决于所需的反应温度和材料。
2. 反应气体：根据所需的薄膜材料和结构，可以使用不同的反应气体，如氨气、氢气、氧气、二氧化硅等。
3. 压力范围：通常在几百帕到几千帕之间，具体取决于反应物质和反应条件。
4. 反应时间：根据所需的薄膜厚度和质量，反应时间可以从几分钟到几小时不等。
5. 基底材料：CVD系统可以用于各种基底材料，如硅、玻璃、金属等。
6. 应用领域：CVD气相沉积系统广泛应用于材料科学和工程领域，用于制备各种功能性薄膜，如金属薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、碳纳米管等。它在半导体、光电子、能源、生物医学等领域都有重要应用。
产品名称 CVD化学气相沉积系统 产品型号 CY-PECVD100-1200-Q 频电源 信号频率 13.56MHz±0.005% 功率输出 0~300W *大反射功率 100W 反射功率 <3W (*大功率时) 功率稳定性 ±0.1% 管式炉 管子材质 高纯石英 管子外径 100mm 炉膛长度 440mm 加热区长度 200mm+200mm (双温区) 连续工作温度 ≦1100℃ 温控精度 ±1℃ 温控模式 30段程序控温 显示模式 LCD触摸屏 密封方式 304 不锈钢真空法兰 供气系统 通道数 6通道 测量单元 质量流量计 测量范围 A 通道: 0～200SCCM， 气体为H2 B 通道: 0～200SCCM，气体为CH4 C 通道: 0～200SCCM，气体为 C2H4 D通道: 0～500SCCM，气体为 N2 E通道: 0～500SCCM，气体为 NH3 F通道: 0～500SCCM， 气体为 Ar 测量精度 ±1.5%F.S 工作压差 -0.15Mpa~0.15Mpa 接头规格 1/4" 卡套接头 气体混合罐 1L 真空系统 机械泵 双极旋片泵 抽速 1.1L/S 真空测量 电阻规 极限真空 0.1Pa 抽气接口 KF16 滑 轨 炉体可以滑动，实现快速降温 供电电源 AC220V 50Hz
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