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产品分类CLASSIFICATION
详细介绍
品牌 | CYKY |
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半导体CVD设备采用等离子体增强型化学气相沉积技术,基本温度低,沉积速率快,在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜,成膜质量好,针孔较少,不易龟裂,适用于制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件,可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。
半导体CVD设备主要功能及特点:
PECVD设备利用平板电容式辉光放电原理,将通入沉积室的工艺气体解离并产生等离子体,被解离的基团在等离子体中重新发生化学反应,由于等离子体存在,促进气体分子的分解、化合、激发和电离,促进反应活性基团的生成,从而降低沉积温度,在具有一定温度的基片上沉积形成薄膜。可根据工艺调节等离子体的密度和能量,控制薄膜的生长速率和微结构。
产品参数:
产品名称 | 桌面式4英寸平板等离子体增强化学气相沉积PECVD | |
产品型号 | CY-PECVD-240T-SS | |
供电电源 | AC220V 50Hz | |
射频电源 | 信号频率 | 13.56MHz |
功率输出范围 | 0~500W (还可选择150W, 300W, 1000W等) | |
工作腔体 | 加热温度 | RT-500℃(还可选择600℃,800℃,1000℃等) |
样品台尺寸 | Φ100mm(兼容4英寸及以下样品) | |
样品台转速 | 1-20rpm 可调 | |
腔体材质 | 不锈钢 | |
观察窗 | Φ60mm, 带挡板 | |
供气系统 | 通道数 | 3 (可根据需要选择其他通道数,其他气体种类,其他测量范围) |
测量单位 | 质量流量计 | |
测量范围 | A 通道: 0~200SCCM for O2 | |
B通道: 0~200SCCM for N2 | ||
C通道: 0~200SCCM for Ar | ||
真空系统 | 前级泵抽速 | 1.1L/s |
分子泵抽速 | 60L/s | |
真空测量 | 复合真空计 | |
真空度 | 5.0*10-3Pa | |
水冷机 | 水流速 | 10L/min |
冷却功率 | 50W/℃ |
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