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半导体CVD设备
简要描述:

半导体CVD设备采用等离子体增强型化学气相沉积技术,基本温度低,沉积速率快,在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜。

  • 产品型号:CY-PECVD-240T-SS
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2025-09-06
  • 访  问  量:197

详细介绍

品牌CYKY

半导体CVD设备采用等离子体增强型化学气相沉积技术,基本温度低,沉积速率快,在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜,成膜质量好,针孔较少,不易龟裂,适用于制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件,可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。

半导体CVD设备主要功能及特点:
PECVD设备利用平板电容式辉光放电原理,将通入沉积室的工艺气体解离并产生等离子体,被解离的基团在等离子体中重新发生化学反应,由于等离子体存在,促进气体分子的分解、化合、激发和电离,促进反应活性基团的生成,从而降低沉积温度,在具有一定温度的基片上沉积形成薄膜。可根据工艺调节等离子体的密度和能量,控制薄膜的生长速率和微结构。
产品参数:


半导体CVD设备

 


产品名称  

桌面式4英寸平板等离子体增强化学气相沉积PECVD  

产品型号  

CY-PECVD-240T-SS  

供电电源  

AC220V 50Hz  

射频电源  

信号频率  

13.56MHz  

功率输出范围  

0~500W (还可选择150W, 300W, 1000W等)  

工作腔体  

加热温度  

RT-500℃(还可选择600℃,800℃,1000℃等)  

样品台尺寸  

Φ100mm(兼容4英寸及以下样品)  

样品台转速  

1-20rpm 可调  

腔体材质  

不锈钢  

观察窗  

Φ60mm, 带挡板  

供气系统  

通道数  

3 (可根据需要选择其他通道数,其他气体种类,其他测量范围)  

测量单位  

质量流量计  

测量范围  

A 通道: 0~200SCCM for O2     

B通道: 0~200SCCM for N2  

C通道: 0~200SCCM for Ar   

真空系统  

前级泵抽速  

1.1L/s   

分子泵抽速  

60L/s   

真空测量  

复合真空计  

真空度  

5.0*10-3Pa  

水冷机  

水流速  

10L/min  

冷却功率  

50W/℃  


 

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