1200℃双温区三路气体高真空CVD气相沉积系统，真空度可达6.67x10-6Pa），两个温区独立控制加热，实验操作更加方便。超高温加热元件，额定工作温度可达1150℃。
主要用于真空烧结、气氛保护性烧结、真空镀膜、各种材料锻烧、需要温度梯度的各种CVD实验。
该产品造型优美、做工精细，测温精准、控温稳定。

化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition, CVD） 是一种用于制备高性能固体材料薄膜的技术。其核心原理是：将含有构成薄膜元素的一种或几种气态反应物通入反应室，在基片（如硅片）表面发生化学反应，并生成固态薄膜沉积下来

1200℃双温区三路气体高真空CVD气相沉积系统，真空度可达6.67x10-6Pa），两个温区独立控制加热，实验操作更加方便。超高温加热元件，额定工作温度可达1150℃。      主要用于真空烧结、气氛保护性烧结、真空镀膜、各种材料锻烧、需要温度梯度的各种CVD实验。      该产品造型优美、做工精细，测温精准、控温稳定。

1200双温区三路气路高真空CVD气相沉积系统（管式炉炉管尺寸：φ60*220*220mm，0~1150℃工作温度区间；真空泵：5~10-6Pa真空度，质子气体流量计精确至0.1）

“高真空"环境带来了以下关键优势：

减少气体分子碰撞： 真空度ji高意味着气体分子平均自由程（分子之间连续碰撞的平均距离）非常长。这使得反应气体分子能够以直线方式到达基片表面，从而确保薄膜具有ji佳的均匀性和台阶覆盖性（即使是在复杂的三维结构上也能均匀覆盖）。降低污染： ji高的真空极大地减少了残留的氧气、水蒸气等杂质气体分子，避免了它们与反应气体或沉积薄膜发生不必要的副反应，从而制备出纯度ji高、缺陷极少的高质量薄膜。精确控制反应： 在高真空环境下，反应物的分压可以得到更精确的控制，从而实现对薄膜生长速率、化学成分和晶体结构的精细调控。

PECVD应用领域：

1.微电子与半导体工业，介质薄膜　低k介质　多晶硅/非晶硅薄膜

2.光伏（太阳能电池）工业，氮化硅减反射钝化膜　非晶硅/微晶硅薄膜太阳能电池

3.显示技术（LCD/OLED），薄膜晶体管（TFT）阵列制造

4.光学领域，光学薄膜

PECVD优点:
1.沉积温度低

2. 薄膜质量高

3. 良好的台阶覆盖性和沟槽填充能力

4. 沉积速率较快

5. 广泛的材料体系

此款烧结CVD系统的电源电压：220V，50Hz，主要用途：CVD实验，真空烧结、真空气氛保护烧结、纳米材料制备、电池材料制备等。