1600三温区CVD气相沉积系统主要用于真空烧结、气氛保护性烧结、真空镀膜 各种材料煅烧、需要温度梯度的各种CVD实验

化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition, CVD） 是一种用于制备高性能固体材料薄膜的技术。其核心原理是：将含有构成薄膜元素的一种或几种气态反应物通入反应室，在基片（如硅片）表面发生化学反应，并生成固态薄膜沉积下来。 

  1600三温区CVD气相沉积系统，真空度可达6.67x10-3Pa（也可定制6.67x10-6Pa），三个温区独立控制加热，实验操作更加方便。超高温加热元件，额定工作温度可达1550℃。

  主要用于真空烧结、气氛保护性烧结、真空镀膜、各种材料锻烧、需要温度梯度的各种CVD实验。

  1600三温区CVD气相沉积系统造型优美、做工精细，测温精准、控温稳定。

PECVD应用领域：

1.微电子与半导体工业，介质薄膜　低k介质　多晶硅/非晶硅薄膜

2.光伏（太阳能电池）工业，氮化硅减反射钝化膜　非晶硅/微晶硅薄膜太阳能电池

3.显示技术（LCD/OLED），薄膜晶体管（TFT）阵列制造

4.光学领域，光学薄膜

PECVD优点:
1.沉积温度低

2. 薄膜质量高

3. 良好的台阶覆盖性和沟槽填充能力

4. 沉积速率较快

5. 广泛的材料体系

管式炉炉管尺寸：Φ60*220*220*220MM，0~1550℃工作温度区间；

真空泵：5~6.67x10-3Pa真空度（可定制6.67x10-6Pa），质子流量计精确至0.1