半导体PECVD设备采用等离子体增强型化学气相沉积技术，能够利用高能量等离子体促进反应过程，有效提升反应速度，降低反应温度。适用于在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜，成膜质量好，针孔较少，不易龟裂，适用于制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件，可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备

PE-HPCVD等离子增强物理化学气相沉积由一台双温区管式炉，一套钨丝蒸发源，一套等离子发生装置以及一套质量流量计组成。HPCVD等离子增强物理化学气相沉积适用于无机复合粉末的热处理及粉末表面的均匀包覆。

双温区CVD化学气相沉积系统是一种常用的薄膜制备技术，通过在高温下将气体反应物质与基底表面反应，形成薄膜

半导体CVD设备采用等离子体增强型化学气相沉积技术，基本温度低，沉积速率快，在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜。