半导体PECVD设备采用等离子体增强型化学气相沉积技术，能够利用高能量等离子体促进反应过程，有效提升反应速度，降低反应温度。适用于在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜，成膜质量好，针孔较少，不易龟裂，适用于制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件，可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备

半导体CVD设备采用等离子体增强型化学气相沉积技术，基本温度低，沉积速率快，在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜。