半导体PECVD设备采用等离子体增强型化学气相沉积技术，能够利用高能量等离子体促进反应过程，有效提升反应速度，降低反应温度。适用于在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜，成膜质量好，针孔较少，不易龟裂，适用于制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件，可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备

射频电源  

信号频率  

13.56MHz  

功率输出范围  

0~500W  

*大反射功率  

100W  

反射功率 (在*大功率时)  

<5W

功率稳定性  

±0.1%  

工作腔体  

加热温度  

RT-1000℃  

温控精度  

±1℃  

样品台尺寸  

Φ200mm  

样品台转速  

1-20rpm 可调  

喷头尺寸  

Φ90mm  

距离  

喷头与样品之间的距离40-100mm连续可调  

沉积工作真空  

0. 133- 133Pa （可根据工艺调整）  

法兰  

上法兰可由电机升降，基材易更换，并有可视窗口  

腔体  

不锈钢材质,   Φ500mm * 500mm  

观察窗  

Φ100mm, 带挡板  

供气系统  

通道数  

6  

测量单位  

质量流量计  

测量范围  

A 通道: 0～200SCCM for H2    

B 通道: 0～200SCCM for CH4  

C 通道: 0～200SCCM for C2H4  

D通道: 0～500SCCM for N2  

E通道: 0～500SCCM for NH3  

F通道: 0～500SCCM for Ar  

测量精度  

±1.5%F.S  

工作压差  

-0.15Mpa~0.15Mpa  

连接管材质  

304 不锈钢  

气路  

304 不锈钢针阀  

进气和出气接口规格  

1/4" 卡套接头  

真空系统  

前级泵抽速  

4.7L/s  

分子泵抽速  

1200L/s  

真空测量  

复合真空计, 范围10-5Pa   ~ 105Pa  

真空度  

5.0*10-3Pa  

水冷机  

冷却水温度  

≦37℃  

水流速  

10L/min  

功率  

0.1KW  

冷却功率  

50W/℃  

空压机  

OTS-550