二氧化硅薄膜沉积等离子增强CVD系统由等离子发生器，三温区管式炉、单温区管式炉、射频电源、真空系统组成。等离子增强CVD系统为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应。

炉管材质

高纯石英

炉管直径

50mm

炉管长度

2830mm

炉膛长度

660mm

加热区长

200mm+200mm+200mm

工作温度

0～1100℃

控温精度

±1℃

控温模式

30段或50段程序控温

显示模式

LCD

密封方式

304不锈钢真空法兰

法兰接口

1/4英寸卡套接头，KF16/25/40接头

可抽真空

4.4E-3Pa

供电电源

AC：220V 50/60Hz

单

温

区

管

式

炉

产品型号

CY-O1200-50IT

炉管材质

高纯石英

炉管直径

50mm

炉管长度

2830mm

炉膛长度

440mm

加热区长

400mm

恒温区长

200mm

工作温度

0～1100℃

控温精度

±1℃

控温模式

30段或50段程序控温

显示模式

LCD

密封方式

304不锈钢真空法兰

法兰接口

1/4英寸卡套接头，KF16/25/40接头

可抽真空

4.4E-3Pa

供电电源

AC:220V 50/60Hz

RF

输

出

系

统

功率范围

0~500W可调

工作频率

13.56MHz+0.005%

工作模式

连续输出

显示模式

LCD

匹配阻抗模式

能够匹配，起辉均匀布满三温区炉管

功率稳定度

≤2W

正常工作反射功率

≤3W

放大反射功率

≤70W

谐波分量

≤-50dBc

整机效率

≥70%

功率因素

≥90%

供电电压/频率

单相交流（187V~153V） 频率50/60Hz

控制模式

内控/PLC 模拟量/RS232/485通讯

电源保护设置

DC过流保护，功放过温保护，反射功率保护

冷却方式

强制风冷

起辉长度

在Ar下射频电源与线圈配合起辉辉光能布满三个温区的炉体长度

供

气

系

统

四路质子流量计

质子流量计

流量范围

MFC1量程：0~200sccm  MFC2量程：0~200sccm

MFC3量程：0~500sccm  MFC4量程：0~500sccm

分别对应气体H2、 CH4、 N2、 Ar

测量精度

±1.5%F.S

重复精度

±0.2%FS

线性精度

±1%F.S

响应时间

≤4s

工作压力

-0.15Mpa~0.15Mpa

流量控制

液晶触摸屏控制，数字显示，每路气体含有针阀单独控制

进气接口

可接1/4NPS或者外径6mm不锈钢管

出气接口

可接1/4NPS或者外径6mm不锈钢管

连接方式

双卡套接头

工作温度

5~45℃

气体预混

配气体预混装置

供电电源

AC：220V 50/60Hz

排

气

系

统

机械泵

旋片泵

抽气速率

1.1L/S

排气接口

KF16

真空测量

电阻规

极限真空

1.0E-1Pa

供电电源

AC：220V 50/60Hz

抽气接口

KF16

轨道

轨道长度

3米，能实现三温区炉子一个炉位长度的滑动，实现快速升降温