卤素灯RTP退火炉是一款12寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制精准，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择

卤素灯RTP退火炉是一款12寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制精准，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择.  

卤素灯RTP退火炉技术特色：

• 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿  

• 红外卤素管灯加热  

• 极其优异的加热温度**性与均匀性  

• 快速数字PID温度控制  

• 不锈钢冷壁真空腔室  

• 系统稳定性好  

• 结构紧凑，小型桌面系统  

• 带触摸屏的PC控制  

• 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr  

• *高3路气体（MFC控制）  

• 没有交叉污染，没有金属污染  

真实基底温度测量技术介绍:  

如上图，由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度，由于热电偶与基片有一定距离，测量的不是基片真实的温度，必须进行温度补偿。  

 RTP退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温，如上图，接触测温仪与片状Real T/C KIT相连，工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置，阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，片状Real T/C KIT同时被加热，由于基片与Real T/C KIT很近，它们之间也会进行热量传递，并很快达到热平衡，所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度，从而实现基片温度的真实测量。  

技术参数：  

基片类型:  

• Silicon wafers硅片

• Compound semiconductor wafers化合物半导体基片

• GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片

• Silicon carbide wafers碳化硅基片

• Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片

• Glass substrates玻璃基片

• Metals金属

• Polymers聚合物

• Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座

RTP退火炉应用领域：

离子注入/接触退火，快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)，可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介电材料，晶体化，致密化，太阳能电池片键合等