卤素灯RTP立式快速退火炉是一款8寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制**，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择

卤素灯RTP立式快速退火炉是一款8寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制**，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。

RTP退火炉应用领域：

1、活化离子注入杂质，形成超薄结合。离子注入是半导体制造工艺中非常重要的一道工序，是用来把改变导电率的搀杂材料注入半导体晶片的标准工艺技术。

2、制作高质量的 SiO,膜层。IC 制造对氧化膜层提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜层更薄，采用传统的技术即通过降低氧化反应的温度来降低氧化速率即会带来另一个问题，生长温度的降低会导致固定电荷和界面密度增加，影响氧化层质量。RTP热氧化工艺可以在合适的高温下实现短时间的氧化。另一方面，可以利用往腔体内通入氩或其它惰性气体来稀释氧气达到降低氧化速率的目的。

3、用于金属硅化物合金形成。RTP退火炉被广泛地用于在器件中制备金属硅化物。

RTP退火炉产品特点：

1. 结构紧凑，节省空间；

2. 快速升降温；

3. 精准温控与均匀性；

4.气氛控制灵活；

卤素灯RTP立式快速退火炉技术参数：