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半导体PECVD设备气相沉积系统
简要描述:

半导体PECVD设备气相沉积系统适用于在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜,成膜质量好,针孔较少,不易龟裂,适用于制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件,可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。

  • 产品型号:CY-PECVD-450T-SS
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2025-09-07
  • 访  问  量:83

详细介绍

品牌CYKY

半导体PECVD设备气相沉积系统采用等离子体增强型化学气相沉积技术,能够利用高能量等离子体促进反应过程,有效提升反应速度,降低反应温度。适用于在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜,成膜质量好,针孔较少,不易龟裂,适用于制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件,可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。

PECVD应用领域

1.微电子与半导体工业,介质薄膜 低k介质 多晶硅/非晶硅薄膜

2.光伏(太阳能电池)工业,氮化硅减反射钝化膜 非晶硅/微晶硅薄膜太阳能电池

3.显示技术(LCD/OLED),薄膜晶体管(TFT)阵列制造

4.光学领域,光学薄膜

PECVD优点:
1.
沉积温度低

2. 薄膜质量高

3. 良好的台阶覆盖性和沟槽填充能力

4. 沉积速率较快

5. 广泛的材料体系

半导体PECVD设备气相沉积系统技术参数:  

产品型号

CY-PECVD-450T-SS

真空腔体

前开门式,φ300mm X 300mm 不锈钢材质

观察窗:φ100mm 带挡板

真空泵组

前级泵:旋片泵 抽速1.1L/s

次级泵:涡轮分子泵 抽速600L/s

极限真空度

10-6Pa

三十分钟内可达到 10-4Pa

沉积真空

0.133~133Pa,可根据工艺调整

射频电源

13.56MHz,500W,自动匹配

流量控制

质量流量计,默认 Ar气 0~200sccm

整机尺寸

1100mm x 800mm x1100mm


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