三温区PECVD气相沉积石墨烯制备系统用于制备石墨烯，是一种 “低温、直接生长" 的技术。它尤其适合在非金属基底（如绝缘衬底）上生长石墨烯，避免了从金属催化剂转移的复杂过程

产品型号：CY-PECVD50-1200-Q
厂商性质：生产厂家
更新时间：2025-09-07
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三温区PECVD气相沉积石墨烯制备系统由等离子发生器，三温区管式炉、射频电源、真空系统组成。等离子增强CVD系统为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积法（PECVD），该PECVD石墨烯薄膜制备设备借助13.56Mhz的射频输出等使含有薄膜组成原子的气体电离，在真空腔体内形成等离子体，利用等离子的强化学活性，改善反应条件，利用等离子体的活性来促进反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。

三温区PECVD气相沉积石墨烯制备系统

三温区PECVD应用范围：

等离子增强CVD系统可以用于：石墨烯制备、硫化物制备、纳米材料制备等多种试验场所。可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜，并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好的均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。广泛应用于刀具、高精模具、硬质涂层、高duan装饰等领域

三温区PECVD气相沉积石墨烯制备系统技术参数:

产品名称	三温区PECVD
产品型号	CY-PECVD50-1200-Q
三温区管式炉	工作温度：0-1100℃ 控温精度：±1℃ 控温方式：AI-PID 30段工艺曲线，可存储多条炉管材质：高纯石英炉管尺寸：φ50mm I.D x 1400mm L 加热温区：三温区 200mm+200mm+200mm 密封方式：不锈钢真空法兰极限真空度：4.4E-3Pa
射频电源	输出功率：0-300W zui大可调±1% RF频率： 13.56MHz，稳定性±0.005% 噪声：≤55DB 冷却：风冷
质量流量计	三路质量流量计阀门类型：不锈钢针阀气路数量：三路承压范围：-0.15Mpa~0.15Mpa 量程 1~200 SCCM 1~200 SCCM 1~500 SCCM 流量控制范围：±1.5% 气路材料：304不锈钢管道接口：6.35mm卡套接头
真空系统	配有一套分子泵系统,采用一键式操作 600L/S
水冷系统	CW-3200
电压	220V 50HZ

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三温区PECVD气相沉积石墨烯制备系统用于制备石墨烯，是一种 “低温、直接生长" 的技术。它尤其适合在非金属基底（如绝缘衬底）上生长石墨烯，避免了从金属催化剂转移的复杂过程

三温区PECVD应用范围：

三温区PECVD气相沉积石墨烯制备系统技术参数:

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