单室磁控溅射镀膜仪主要由溅射真空室、磁控溅射靶、基片水冷加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。磁控溅射镀膜仪可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。

真空系统配置  

复合分子泵、机械泵、闸板阀  

极限压力  

≦6.67*10^-5 Pa （经烘烤除气后）  

恢复真空时间  

40 分钟可达到6 .6*10^-4 Pa 。（系统短时间暴露大气并充入干燥氮气后开始抽气）  

磁控靶组件  

永磁靶三套；靶材尺寸Ø60mm（其中一个可溅射磁性材料）；各靶射频滩射和直流裁射兼容；靶内水冷；三个靶可共同折向上面的样品中心；靶与样品距离 90~110mm可调；当直接向上溅射时，靶与样品距离40~80mm可调  

基片水冷加热公转台  

基片结构  

基片加热与水冷独立工作，取下加热炉可以换上水冷基片台  

样品尺寸  

Ø30mm  

运动方式  

基片可连续回转，转速 5~10 转／分  

加热  

基片加热*高温度600℃±1℃  

基片负偏压  

－200V  

气路系统  

质 量 流 量 控制器 2 路  

计算机控制系统  

控制样品转动，挡板开关，靶位确认等  

可选配件6工位基片加热公转台  

拆下单基片水冷加热台可以换上该转台。可同时放置6片30mm的基片；6个工位中，其中一个工位安装加热炉，其余工位为自然冷却基片台；基片加热*高温度600℃ ±1℃  

设备占地面积  

主机  

I300×800mm²  

电控柜  

70×700m²