1200℃真空RTP退火炉是一款12寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制**，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择

简单介绍：

1200℃ 真空RTP退火炉是一款12寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制**，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择

详情介绍：

• 一些高温陶瓷材料的烧结后处理可以使用 1200℃RTP 退火炉。例如，氧化铝（Al₂O₃）陶瓷在烧结过程中可能会出现残余应力，1200℃快速退火能够有效消除这些残余应力，提高陶瓷材料的机械性能，如强度和韧性。同时，对于含有添加剂的陶瓷材料，退火过程还可以促进添加剂在陶瓷基体中的均匀分布，进一步改善陶瓷的性能。

• 在某些金属合金的热处理中，1200℃RTP 退火炉也有应用。例如，对于一些高温合金，在熔炼和成型后，1200℃的快速退火可以调整合金的组织结构，细化晶粒，提高合金的高温性能，如高温强度和抗蠕变性能。

技术特色：

• 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿

• 红外卤素管灯加热

• 极其优异的加热温度**性与均匀性

• 快速数字PID温度控制

• 不锈钢冷壁真空腔室

• 系统稳定性好

• 带触摸屏的PC控制

• 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr

• *高3路气体（MFC控制）

• 没有交叉污染，没有金属污染

技术参数：