CY-O1200X-Φ50-100×100-V-T是一款小型的1100℃Bridgman晶体生长炉，配有2英寸的石英管，精密提拉机。用于在气氛保护环境下或密封石英坩埚环境下生长小尺寸的晶体。布里奇曼晶体生长炉通常采用管式结构，为３个区域（加热区、梯度区和冷却区）。

CY-O1200BG-Φ50-100×100-V-T是一款小型的1100℃布里奇曼单晶生长炉，配有2英寸的石英管，精密提拉机。用于在气氛保护环境下或密封石英坩埚环境下生长小尺寸的晶体。   

Bridgeman法晶体生长过程  

把晶体生长的原料装入合适的容器中，在具有单向温度梯度的Bridgman晶体生长炉内进行生长。Bridgman晶体生长炉通常采用管式结构，为３个区域（加热区、梯度区和冷却区）。加热区的温度高于晶体的熔点，冷却区低于晶体熔点，梯度区的温度逐渐由加热区温度过渡到冷却区温度，形成一维的温度梯度。首先将坩埚置于加热区进行熔化，并在一定的过热度下恒温一段时间，获得均匀的过热熔体。然后通过炉体的运动或坩埚的移动使坩埚由加热区穿过梯度区向冷却区运动。坩埚进入梯度区后熔体发生定向冷却，首先达到低于熔点温度的部分发生结晶，并随着坩埚的连续运动而冷却，结晶界面沿着与其运动相反的方向定向生长，实现晶体生长过程的连续进行。  

图１　Bridgman法晶体生长的基本原理  

（ａ）基本结构；            （ｂ）温度分布。  

Bridgman法晶体生长一般分为：  

垂直Bridgman法  

（图１.所示）坩埚轴线与重力场方向平行，高温区在上方，低温区在下方，坩埚从上向下移动，实现晶体生长。该方法是*常见的Bridgman法，称为垂直Bridgman法。  

水平Bridgman法  

水平Bridgman法其温度梯度（坩埚轴线）方向垂直于重力场。垂直Bridgman法利于获得圆周方向对称的温度场和对流模式，从而使所生长的晶体具有轴对称的性质；而水平Bridgman法的控制系统相对简单，并能够在结晶界面前沿获得较强的对流，进行晶体生长行为控制。同时，水平Bridgman法还有利于控制炉膛与坩埚之间的对流换热，获得更高的温度梯度。此外，也有人采用坩埚轴线与重力场成一定角度的倾斜Bridgman法进行晶体生长。而垂直Bridgman法也可采用从上向下生长的方式。  

技术参数  

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