立式三温区管式炉适用于精密陶瓷等新材料的热处理。该款管式炉采用双层风冷结构，炉体表面温度≤60℃，采用高纯氧化铝多晶纤维制作炉膛，加热元件为硅碳棒，可延长炉体使用寿命。整机结构合理，操作简单易学，是在多重气氛或真空状态下对金属，非金属及其化合物进行烧结、熔化、分析的理想产品。

简单介绍：

立式三温区管式炉适用于精密陶瓷等新材料的热处理

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该款管式炉采用双层风冷结构，炉体表面温度≤60℃，采用高纯氧化铝多晶纤维制作炉膛，加热元件为硅碳棒，可延长炉体使用寿命。整机结构合理，操作简单易学，是在多重气氛或真空状态下对金属，非金属及其化合物进行烧结、熔化、分析的理想产品。

应用领域：立式三温区管式炉适用于精密陶瓷等新材料的热处理。对于陶瓷材料，如氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷等，能够提供精准的温度控制。在烧结过程中，不同温区可以设置不同的温度梯度，使陶瓷坯体在受热过程中逐步致密化。例如，在最外层温区可以设置稍低的预热温度，中间温区为主要的烧结温度区间，内部温区设置为冷却或保持一定的温度，这样可以减少热应力，防止陶瓷材料在烧结过程中出现开裂等缺陷。

在一些半导体材料（如硅、锗等）的晶体生长过程中，可以提供温度梯度，用于控制材料的熔化、结晶和生长方向。不同温区可以模拟不同的热环境，使得晶体在生长过程中能够按照预定的方向和速率生长，有利于提高晶体的质量和性能，例如减少晶体中的缺陷和杂质。

对于已经制备好的半导体器件，需要进行热处理来改善其电学性能。可以通过设置不同的温区，对器件进行退火、扩散等热处理工艺。例如，在半导体器件的退火过程中，利用不同温区控制温度和气氛，消除器件中的晶格缺陷，激活掺杂原子，提高器件的性能和可靠性。

主要技术参数：