1200℃RTP退火炉是一款12寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制**，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择

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1200℃RTP退火炉是一款12寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制**，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。

技术特色：

• 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿

• 红外卤素管灯加热

• 极其优异的加热温度**性与均匀性

• 快速数字PID温度控制

• 不锈钢冷壁真空腔室

• 系统稳定性好

• 带触摸屏的PC控制

• 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr

• *高3路气体（MFC控制）

• 没有交叉污染，没有金属污染

技术参数：

产品名称	1200℃RTP退火炉
产品型号	CY-RTP1000-Φ300-T
基片尺寸	12英寸
基片基座	石英针（可选配SiC涂层石墨基座）
温度范围	150-1200℃
加热速率	10-150℃/S
温度均匀性	≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)
温度控制精度	≤ ±3℃
温度重复性	≤ ±3℃
真空度	5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr
气路供应	标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（*多可选3路）
退火持续时间	≥10min@1200℃
温度控制	快速数字PID控制
尺　　寸	890mm950mm1400mm

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