热蒸发镀膜仪的物理过程主要包括材料的蒸发、气态粒子的输运以及在基底上的沉积成膜。在蒸发过程中，材料需要获得足够的热能以克服分子间的结合能，从而转变为气态分子并从蒸发源表面逸出 。这些气态粒子在输运过程中基本上无碰撞地直线飞行到基底表面，并在那里凝聚形核生长成固相薄膜。
产品特点：
高纯度薄膜：由于在高真空条件下进行，减少了气体分子与蒸发材料的碰撞，从而能够制备出高纯度的薄膜。
精确控制：蒸发镀膜技术允许对薄膜的厚度、成分和结构进行精确控制，这在许多高精度应用中至关重要。
适用多种材料：蒸发镀膜技术可以用于多种材料，包括金属、合金、氧化物、碳化物、氮化物以及有机材料等。
高沉积速率：特别是使用电子束蒸发时，由于高能量的电子束能够快速加热材料，可以实现高沉积速率。
均匀性：通过适当的工艺参数调整，可以在大面积基底上获得均匀的薄膜。
低损伤：由于加热主要集中在蒸发材料上，对基底的热影响较小，适用于热敏材料的薄膜沉积。
使用方法：
前期准备：
清洁腔体内部杂质，关闭并锁死腔门，检查冷却水、氮气系统状态正常。
清洗烘干基片，将待蒸镀材料分别装入对应独立蒸发源的坩埚中。
抽真空流程：
启动机械泵预抽，待腔体内气压低于10Pa后，开启分子泵抽高真空。
直至腔体真空度达到5×10⁻⁵Pa及以上，满足蒸镀环境要求。
蒸镀操作：
设置各蒸发源的蒸发速率、目标膜厚参数，开启样品台旋转功能。
对各蒸发源材料进行预熔，用挡板挡住基片，待杂质充分蒸出、真空度恢复后移开挡板。
独立调控各源功率，通过膜厚监测仪实时监控沉积过程，保证各元素沉积比例符合目标要求。
后期收尾：
达到设定总膜厚后，依次关闭各蒸发源电源，关闭挡板，待基片冷却至室温。
向腔体内通入氮气破真空，取出样品，依次关闭分子泵、机械泵，最后关闭总电源和气源。
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